以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小体积、低能耗、高功率等明显优势，应用于5G通信、新能源汽车、光伏、智能电网等领域。今年以来，尽管半导体行业处于逆周期，但800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等细分市场的快速发展，推升了第三代半导体材料的市场需求。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2021年在国内半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。2021年，SiC、GaN电力电子产值规模达到58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%。
为了促进第三代半导体材料领域的相互交流与合作，半导体在线将于2023年3月30-31日（29日签到）在苏州合景万怡酒店组织召开2023年第二届第三代半导体材料技术与市场研讨会，旨在提供协同创新的高质量交流平台，推动国内第三代半导体材料的学术研究、技术进步和产业发展。Park原子力显微镜将携用于故障分析和大型样品研究的领先纳米计量工具Park NX20参加此次会议。
- 日期 : 2023年3月30日-31日（3月29日签到）
- 地点 : 江苏苏州市吴中区金枫路268号苏州合景万怡酒店
- 展位号 : A1
会议议题 :
SiC、GaN等生长与外延技术
SiC、GaN等生长装备和其他装备术
SiC、GaN等器件及测试分析技术
SiC、GaN等器件封装模块、系统解决方案及应用